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                                      国家信息光电子创新中心等四单位研发的100G硅光收发芯片正式投产

                                      2018年8月29日 09:36  CCTIME飞象网  

                                      飞象网讯 日前,由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司、光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制成功的“100G硅光收发芯片”正式投产使用。实现100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产,并通过了用户现网测试,性能稳定可靠,为80公里以上跨距的100G/200G相干光通信设备提供超小型、高性能、通用化的解决方案。

                                      ?#27599;?#21830;用化硅光芯片在一个不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光发送、调制、接收等近60个?#24615;?#21644;无源光元件,是目前国际上已报道的集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。该芯片完成封装后,其硅光器件产品的尺寸仅为312平方毫米,面积为传统器件的三分之一,可以全面满足CFP/CFP2(外形封装可插拔)相干光模块的需求。

                                      国家信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士表示:“硅材料来源丰富,成本低,机械性能、耐高温能力非常好,便于芯片加工和封装。借助集成电路已大规模商用的CMOS工艺平台实现硅光芯片的生产制造,可以有效解决我国高端光电子芯片制造能力薄弱、工艺能力不足的问题。不过,硅材料属间接带隙半导体材料,需要解决硅基光源加工和众多光元件集成难题;硅材料不存在线性电光效应和光电探测功能,也需要解决调制器加工和锗硅外?#30001;?#38271;难题。?#30001;?#30789;光芯片对高端光器件的带宽、集成度、性能、功耗、可靠性和成本等要求极高,使得多年来硅光芯片一直是我国光通信行业的一只拦路虎。此次工信部主导成立国家信息光电子创新中心,及时推动四家单位通力合作实现了100G硅光芯片的产业化商用,不仅展现出硅光技术优势,也表明我国已经具备了硅光产?#39134;?#29992;化设计的条件和基础。我们十?#21046;?#24453;未来几年硅光技术在光通信系统中的大规模部署和应用,推动我国自主硅光芯片技术向超高速超大容量超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠方向发展。”

                                      图:(左) 100G/200G硅基相干光收发芯片

                                      (中)硅光发射机128Gb/s PDM-QPSK星座图

                                      (右)硅光发射机256Gb/s PDM-16QAM星座图

                                      编 辑:孙秀杰
                                      免责声明:刊载本文目的在于传播更多行业信息,不代表本站对读者构成任何其它建议,请读者仅作参考,更不能作为投资使用依据,请自行核实相关内容。
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